4.8 Article

Limits to Doping of Wide Band Gap Semiconductors

期刊

CHEMISTRY OF MATERIALS
卷 25, 期 15, 页码 2924-2926

出版社

AMER CHEMICAL SOC
DOI: 10.1021/cm402237s

关键词

semiconductors; charge carriers; thermodynamics; computational chemistry; point defects

资金

  1. EPSRC [ED/D504872, EP/I01330X/1, EP/F067496, EP/G03768X/1]
  2. Engineering and Physical Sciences Research Council [EP/I01330X/1, EP/L000202/1, EP/J010480/1, EP/F067496/1, 1093802, EP/I030662/1] Funding Source: researchfish
  3. EPSRC [EP/J010480/1, EP/I030662/1, EP/L000202/1, EP/I01330X/1, EP/F067496/1] Funding Source: UKRI

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