4.8 Article

Persistent silylium ions stabilized by polyagostic Si-H center dot center dot center dot Si interactions

期刊

ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION
卷 46, 期 24, 页码 4530-4533

出版社

WILEY-V C H VERLAG GMBH
DOI: 10.1002/anie.200604258

关键词

agostic interactions; density functional calculations; silicon; silylium ions

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