4.8 Article

Transparent oxide optoelectronics

期刊

MATERIALS TODAY
卷 7, 期 6, 页码 42-51

出版社

ELSEVIER SCI LTD
DOI: 10.1016/S1369-7021(04)00288-3

关键词

-

资金

  1. Japan Science and Technology Agency

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This article reviews transparent oxide optoelectronic devices based on our efforts focusing on transparent thin-film transistors fabricated from single-crystalline films of InGaO3(ZnO)(5) with a natural superlattice structure, near-ultraviolet (UV) emitting diodes composed of heteroepitaxially grown p-type SrCu2O2 and n-type ZnO, and single-crystalline NiO and ZnO pn-heterojunction diode UV detectors.

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