4.8 Article

High-Performance and Low-Power Rewritable SiOx 1 kbit One Diode-One Resistor Crossbar Memory Array

期刊

ADVANCED MATERIALS
卷 25, 期 34, 页码 4789-4793

出版社

WILEY-V C H VERLAG GMBH
DOI: 10.1002/adma.201302047

关键词

silicon oxides; non-volatile memory; one diode-one resistor

资金

  1. Boeing Corporation
  2. AFOSR [FA9550-12-1-0035]

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