4.8 Article

Multistate Memory Devices Based on Free-standing VO2/TiO2 Microstructures Driven by Joule Self-Heating

期刊

ADVANCED MATERIALS
卷 24, 期 21, 页码 2929-2934

出版社

WILEY-V C H VERLAG GMBH
DOI: 10.1002/adma.201104669

关键词

vanadium dioxide; memristor; oxide electronics; Joule heating; metal-insulator transition

资金

  1. EU [228989]
  2. CNR-INFM
  3. CARIGE foundation
  4. Progetti di Ricerca di Ateneo University of Genova
  5. Ministry of Education, Culture, Sports, Science, and Technology (MEXT) [21676001]
  6. Grants-in-Aid for Scientific Research [21676001] Funding Source: KAKEN

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