4.8 Article

Ferroelectric Nonvolatile Nanowire Memory Circuit Using a Single ZnO Nanowire and Copolymer Top Layer

期刊

ADVANCED MATERIALS
卷 24, 期 22, 页码 3020-3025

出版社

WILEY-V C H VERLAG GMBH
DOI: 10.1002/adma.201201051

关键词

zinc oxide; nanowires; field-effect transistors; ferroelectric (FeFETs); one-dimensional (1D) electronics; memory inverter circuit

资金

  1. NRF (NRL) [2011-0000375]
  2. Hi Seoul Science/Humanities Fellowship
  3. LOTTE

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