3.8 Proceedings Paper

Submillimeter-Wave Schottky Diodes based on Heterogeneous Integration of GaAs onto Silicon

出版社

IEEE
DOI: 10.23919/usnc-ursi-nrsm.2019.8713040

关键词

-

资金

  1. National Ground Intelligence Center [W911W5-16-C-0007]
  2. National Science Foundation [ECCS 1731635]

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This paper reports on the design and fabrication of quasi-vertical Schottky diodes for submillimeter-wave applications. Use of the diodes to implement an integrated 160 GHz frequency quadrupler are described.

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