4.8 Article

Atomic-Monolayer MoS2 Band-to-Band Tunneling Field-Effect Transistor

期刊

SMALL
卷 12, 期 41, 页码 5676-5683

出版社

WILEY-V C H VERLAG GMBH
DOI: 10.1002/smll.201601310

关键词

-

资金

  1. National Science Foundation (NSF) [NSF-EFRI-1433541]
  2. Department of Defense SMART (Science, Mathematics, and Research for Transformation) Scholarship
  3. National Science Council of Taiwan [NSC 103-2917-I-564-017]
  4. Directorate For Engineering
  5. Emerging Frontiers & Multidisciplinary Activities [1433541] Funding Source: National Science Foundation

向作者/读者索取更多资源

作者

我是这篇论文的作者
点击您的名字以认领此论文并将其添加到您的个人资料中。

评论

主要评分

4.8
评分不足

次要评分

新颖性
-
重要性
-
科学严谨性
-
评价这篇论文

推荐

暂无数据
暂无数据