4.4 Article

Low temperature deposition of high quality single crystalline AlN thin films on sapphire using highly oriented monolayer MoS 2 as a buffer layer

期刊

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
卷 544, 期 -, 页码 -

出版社

ELSEVIER
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125726

关键词

-

资金

  1. Ministry of Science and Technology of Taiwan [106-2221-E-033-067, 107-2221-E-033-048, 107-2112-M-009-024-MY3, 108-2119-M-009-011-MY3]

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