4.8 Letter

Reply to Comment on 'Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed

期刊

ACS NANO
卷 10, 期 2, 页码 1716-1717

出版社

AMER CHEMICAL SOC
DOI: 10.1021/acsnano.5b08198

关键词

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