4.4 Article

Electronic properties of (100)Ge/Ge(Hf)O2 interfaces:: A first-principles study

期刊

SURFACE SCIENCE
卷 602, 期 4, 页码 L25-L28

出版社

ELSEVIER
DOI: 10.1016/j.susc.2007.12.040

关键词

density functional calculations; semiconductor insulator interfaces; interface states; Germanium

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