4.8 Article

Channel-Length-Dependent Field-Effect Mobility and Carrier Concentration of Reduced Graphene Oxide Thin-Film Transistors

期刊

SMALL
卷 6, 期 11, 页码 1210-1215

出版社

WILEY-V C H VERLAG GMBH
DOI: 10.1002/smll.200902407

关键词

field-effect transistors; graphene; nanosheets; solution processes; thin-film transistors

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