4.8 Article

High-quality InAs/InSb nanowire heterostructures grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

期刊

SMALL
卷 4, 期 7, 页码 878-882

出版社

WILEY-V C H VERLAG GMBH
DOI: 10.1002/smll.200700892

关键词

heterostructures; indium antimonide; MOCVD; nanowires; TEM

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