Correction

Selective-area growth of hexagonal nanopillars with single InGaAs/GaAs quantum wells on GaAs(111)B substrate and their temperature-dependent photoluminescence (vol 18, artn 105302, 2008)

期刊

NANOTECHNOLOGY
卷 19, 期 40, 页码 -

出版社

IOP PUBLISHING LTD
DOI: 10.1088/0957-4484/19/40/409801

关键词

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