☆ 4.3 Article

Effect of Solid-Phase-Epitaxy Si Layers on Suppression of Sb Diffusion from Sb-Doped n+-BaSi2/p+-Si Tunnel Junction to Undoped BaSi2Overlayers

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (2013)

期刊

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

卷 51, 期 4S, 页码 04DP01

出版社

Japan Society of Applied Physics

DOI: 10.7567/jjap.51.04dp01

关键词

-

类别

Physics, Applied

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