4.6 Article

High-Sensitivity Ion-Selective Field-Effect Transistors Using Nanoporous Silicon

期刊

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
卷 31, 期 9, 页码 1056-1058

出版社

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
DOI: 10.1109/LED.2010.2052344

关键词

Ion-selective field-effect transistors (ISFETs); nanoporous; pH; sensitivity

资金

  1. Research Council of the University of Tehran
  2. Nano-Electronic Center of Excellence

向作者/读者索取更多资源

作者

我是这篇论文的作者
点击您的名字以认领此论文并将其添加到您的个人资料中。

评论

主要评分

4.6
评分不足

次要评分

新颖性
-
重要性
-
科学严谨性
-
评价这篇论文

推荐

暂无数据
暂无数据